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科学研究

武汉大学科技成果转化(许可、转让)现金奖励公示表

分类:院内新闻 作者: 来源: 时间:2022-08-17 访问量:

公示号:WHU现金奖励公示2022年[52]号

成果名称

见附件

成果类型

发明专利

申请号

见附件

转化方式

转让

合同签署日

202269

武汉大学登记/技术合同登记编号

2022420621000325

合同收入额

600000

合同约定分几期到账

1

实际到账额

600000

到账2022630

属于第几期

1

直接成本

(元)

专家咨询费(元)


单位(开发票)缴税(元)


评估费(元)

4000

学校交纳的知识产权费

62310

其他(须具体载明)

1800(代办技术合同免税)

净收益(元)

531890.00

奖励研发团队金额(元)

372323.00

受让单位

江西兆驰半导体有限公司

主要完成人

周圣军

工号:00030742

联系电话

15827348861

所在二级单位

动力与机械学院


转化科技成果信息附表

成果名称1

一种Micro-LED显示芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2019109504209

成果名称2

一种氮化铝外延结构及其生长方法

成果类型

发明专利

知识产权号

202010096533X

成果名称3

具有复合成核层的发光二极管芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2019110013602

成果名称4

全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2018116113741

成果名称5

基于激光直写的Micro-LED的制造方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2017108467364

成果名称6

一种半导体发光器件及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2017100930112

成果名称7

具有纳米级二氧化硅光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2018102530091

成果名称8

蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2017112437802

成果名称9

一种侧壁具有纳米棱镜结构的氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2018111629250

成果名称10

一种深紫外LED芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2019104322261

成果名称11

一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2020103973728

成果名称12

一种三基色垂直结构微型LED 芯片制造与转印方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2018106936494

成果名称13

一种激光快速制备金属纳米多孔材料的方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2019107647443

成果名称14

一种紫外发光二极管芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2016101036211

成果名称15

选区刻蚀外延Micro-LED芯片及其设计、制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

2021104393368

成果名称16

粘合层转印的薄膜倒装结构Micro-LED芯片及其制备方法

成果类型

发明专利

知识产权号

202010883941X