近日，根据学校图书馆ESI引用论文动态数据显示，2020年5至9月，动力与机械学院在氮化物LED芯片研究领域新增三篇ESI高被引论文，分别为2019年在Optics Express、Applied Surface Science和Nano Energy上发表的三篇氮化物LED芯片论文“Highly efficient GaN-based high-power flip-chip light-emitting diodes”，“High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes”和“Boosted ultraviolet electroluminescence of InGaN/AlGaN quantum structures grown on high-index contrast patterned sapphire with silica array”。

研究工作“Highly efficient GaN-based high-power flip-chip light-emitting diodes”提出了一种三维倒装结构LED芯片，显著提升了器件的电流注入效率和散热性能。周圣军教授为论文第一作者，刘胜教授为论文通讯作者。

研究工作“High quality GaN buffer layer by isoelectronic doping and its application to 365 nm InGaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diodes”采用等电子掺杂技术降低氮化镓（GaN）材料的位错密度，提升了紫外LED芯片的内量子效率。周圣军教授为论文第一作者，刘胜教授、周圣军教授、胡红坡博士为论文通讯作者。

研究工作“Boosted ultraviolet electroluminescence of InGaN/AlGaN quantum structures grown on high-index contrast patterned sapphire with silica array”开发了一种可以同时提升紫外LED芯片内量子效率和光提取效率的新型图形衬底。胡红坡博士、唐斌、万辉为论文共同第一作者，周圣军教授为论文通讯作者。

武汉大学动力与机械学院为上述三篇ESI高被引论文的第一作者和通讯作者单位。