近日，国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道了动力与机械学院周圣军在硅衬底氮化镓基垂直结构大功率LED芯片领域的研究进展。

周圣军采用金-铟（Au-In）共晶键合和激光剥离技术在4英寸p型硅衬底上制备出垂直结构LED芯片，并设计了一种新型的多金属层堆栈结构电极，有效提升了金属电极与p-GaN的欧姆接触性能并且解决了应力诱导金属电极产生裂纹的问题，从而大幅度提高了垂直结构LED芯片的光电性能和可靠性。相关研究成果发表在Optics Express 27, A1506 (2019)上。近日，该研究工作被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》作为硅衬底氮化镓基垂直结构LED芯片重要研究进展进行专题报道并以头条新闻在线刊登于该杂志网站主页。

《Semiconductor Today》是总部位于英国，具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

专题报道链接：

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2019/oct/wuhan-181019.shtml

文章链接:

https://doi.org/10.1364/OE.27.0A1506