近日，国际著名半导体行业媒体《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》相继报道动力与机械学院周圣军的研究成果，并分别以News Features（新闻特写）和头条新闻在线刊登于网站主页。

图1《Semiconductor Today》News Features （新闻特写）专栏报道

周圣军研究小组设计和制造了图案化二氧化硅阵列衬底，并采用MOCVD在其上外延生长InGaN/AlGaN紫外LED。相比图案化蓝宝石衬底，这种新型衬底能够抑制AlGaN在图案侧壁的生长，降低AlGaN材料的位错密度。此外，新型图形衬底能够更有效的将来自有源区的光耦合至紫外LED芯片上下表面的逃逸光锥，提高紫外LED芯片的光提取效率。相关研究成果发表在Nano Energy上。

图2《CompoundSemiconductor》专栏报道

《Semiconductor Today》是总部位于英国，具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

《Compound Semiconductors》是全球权威的半导体杂志，重点介绍国际先进半导体技术进展，为国际读者提供化合物半导体行业的专业知识。

《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报道链接：

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/jan/wuhan-300120.shtml

https://compoundsemiconductor.net/article/109955/Novel_Substrate_Boosts_AlGaN_UV_LED_Efficiency